Centros de Asistencia a la Investigación

RTA 1110ºC

Equipo para recocidos rápidos de obleas de semiconductor hasta 1100ºC. Control por termopar o pirómetro óptico. Potencia eléctrica 21kW. Obleas hasta 4"
CAI Técnicas Físicas
Unidad de Implantación iónica