Centros de Asistencia a la Investigación

Depósito de láminas por reacción química en fase gaseosa (CVD)

Técnica para depositar laáminas delgadas, fundamentalmente asilantes; como por ejemplo Dióxido de Silicio en MOS o nitruro de silicio para MIS. También se pude depositar oxinitruros o silicio amorfo. Usa silano diluido como gas precursor.
Instrumentación
Personal
Rosa Cimas Cuevas
CAI Técnicas Físicas
Unidad de Implantación iónica